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擺脫VOC與QFLS不匹配:擬態(tài)J-V曲線在HTL結(jié)構(gòu)的應(yīng)用

更新時(shí)間:2025-10-13      點(diǎn)擊次數(shù):398

前言

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSCs)因其優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和制備工藝簡(jiǎn)便性,已成為光伏領(lǐng)域的重要研究方向。然而,提升開路電壓(VOC)并確保長(zhǎng)期穩(wěn)定性仍是關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)。空穴傳輸層(HTL)的材料特性和界面工程直接影響VOC和填充因子(FF)表現(xiàn)。近年來,準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂(QFLS)映射和擬態(tài)電流-電壓(pseudo-JV)曲線等先進(jìn)表征技術(shù)為HTL結(jié)構(gòu)優(yōu)化提供了有力的分析工具。


QFLS與開路電壓的關(guān)聯(lián)機(jī)制

QFLS定義為導(dǎo)帶電子準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)(EF,e)與價(jià)帶空穴準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)(EF,h)的能量差,反映光生載流子的化學(xué)勢(shì)能分布。理論上,QFLS應(yīng)等于器件開路電壓(VOC = ΔEF/q),但實(shí)際器件中因接觸和傳輸層的電化學(xué)勢(shì)損失,兩者存在不匹配現(xiàn)象。通過測(cè)量QFLS,研究人員能直接量化太陽(yáng)能電池的輻射與非輻射復(fù)合損失,精確識(shí)別電壓損失來源——區(qū)分材料體復(fù)合與界面問題的貢獻(xiàn),為VOC優(yōu)化和材料選擇提供量化依據(jù)。

擺脫VOC與QFLS不匹配:擬態(tài)J-V曲線在HTL結(jié)構(gòu)的應(yīng)用

取自:光焱科技EnlitechQFLS準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂技術(shù)指南:評(píng)估光伏材料性能上限 太陽(yáng)能電池性能表征與效率提升的關(guān)鍵參數(shù)分析


HTL結(jié)構(gòu)改質(zhì)的研究進(jìn)展

1.溴取代自組裝單分子層的界面工程

新加坡國(guó)立大學(xué)侯毅(Yi Hou)教授團(tuán)隊(duì)(2025在寬禁帶鈣鈦礦太陽(yáng)能電池研究中,采用溴取代策略修飾自組裝單分子層(SAM)末端基團(tuán)。研究顯示,DCB-Br-2處理能有效調(diào)控SAM與鈣鈦礦的界面相互作用和能級(jí)匹配,顯著減少非輻射復(fù)合并加速空穴提取。穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光(PL)和PL量子產(chǎn)率(PLQY)測(cè)量結(jié)果表明,DCB-Br-2處理后的鈣鈦礦薄膜展現(xiàn)最高PL強(qiáng)度和QFLS值,甚至超越裸鈣鈦礦薄膜,直接證明缺陷鈍化和空穴提取的改善效果。

擺脫VOC與QFLS不匹配:擬態(tài)J-V曲線在HTL結(jié)構(gòu)的應(yīng)用

取自:Surpassing 90% Shockley–Queisser VOC limit in 1.79 eV wide-bandgap perovskite solar cells using bromine-substituted self-assembled monolayers-Fig.3e


光強(qiáng)度依賴PL測(cè)量所提取的pseudo-JV曲線進(jìn)一步驗(yàn)證,DCB-Br-2能有效降低HTL/鈣鈦礦界面的偽填充因子(p-FF)損失。該研究在1.79 eV寬禁帶電池中實(shí)現(xiàn)1.37 V開路電壓,VOC損失僅0.42 V,超越Shockley-Queisser極限的90%,非輻射復(fù)合VOC損失降至0.13 V

擺脫VOC與QFLS不匹配:擬態(tài)J-V曲線在HTL結(jié)構(gòu)的應(yīng)用

取自:Surpassing 90% Shockley–Queisser VOC limit in 1.79 eV wide-bandgap perovskite solar cells using bromine-substituted self-assembled monolayers-Fig.3c


2.QFLSVOC不匹配的機(jī)制解析

德國(guó)波茨坦大學(xué)Dieter Neher教授團(tuán)隊(duì)(2019深入探討鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中QFLSVOC的不匹配問題。研究發(fā)現(xiàn),測(cè)得的QFLS顯著低于輻射極限,主要復(fù)合機(jī)制為非輻射復(fù)合,尤其集中在鈣鈦礦/電荷傳輸層界面。此不匹配源于能級(jí)偏移和界面復(fù)合加速。研究強(qiáng)調(diào),外部VOC并不全反映吸收層復(fù)合機(jī)制,可能導(dǎo)致對(duì)復(fù)合行為的誤判。通過實(shí)驗(yàn)與漂移-擴(kuò)散模擬驗(yàn)證,理想匹配且阻擋的傳輸層能避免VOC飽和并消除QFLS-VOC不匹配。

擺脫VOC與QFLS不匹配:擬態(tài)J-V曲線在HTL結(jié)構(gòu)的應(yīng)用

取自:On the Relation between the Open-Circuit Voltage and Quasi-Fermi Level Splitting in Efficient Perovskite Solar Cells-Fig.3


3.高光譜QFLS映射的界面損失可視化

意大利帕維亞大學(xué)Giulia Grancini教授團(tuán)隊(duì)(2022采用高光譜QFLS映射(Δμ映射)技術(shù),可視化和量化反向結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池界面的非輻射損失。該技術(shù)能直觀觀察不同有機(jī)鈍化劑(如苯乙基銨PEAI)對(duì)QFLS空間分布的影響,量化其對(duì)光伏性能的提升作用。QFLS映像清晰顯示界面缺陷的有效鈍化和非輻射復(fù)合的減少,為界面工程優(yōu)化提供空間分布信息。

擺脫VOC與QFLS不匹配:擬態(tài)J-V曲線在HTL結(jié)構(gòu)的應(yīng)用

取自:Imaging and quantifying non-radiative losses at 23% efficient inverted perovskite solar cells interfaces-Fig.3a-f


4.雙功能聚合物添加劑的通用性改質(zhì)

中科院青島生物能源與過程研究所逄淑平教授團(tuán)隊(duì)(2024開發(fā)了通用性雙功能聚合物添加劑,顯著提升鈣鈦礦太陽(yáng)能電池QFLS,使VOC接近Shockley-Queisser理論極限。該添加劑通過同時(shí)鈍化陽(yáng)離子和陰離子缺陷,將鈣鈦礦薄膜從強(qiáng)N型轉(zhuǎn)變?yōu)槿?/span>N型,優(yōu)化能級(jí)匹配并有效抑制體非輻射復(fù)合。QFLS量化分析能直接評(píng)估不同處理方法對(duì)非輻射復(fù)合能量損失的貢獻(xiàn),為材料設(shè)計(jì)提供精確指導(dǎo)。

擺脫VOC與QFLS不匹配:擬態(tài)J-V曲線在HTL結(jié)構(gòu)的應(yīng)用

取自:Enhanced Quasi-Fermi Level Splitting of Perovskite Solar Cells by Universal Dual-Functional Polymer- Graphical Abstract


QFLS-Maper技術(shù)在HTL開發(fā)中的應(yīng)用

QFLSpseudo-JV作為非接觸光電表征手段,能穿透復(fù)雜器件結(jié)構(gòu),直接揭示材料固有光電潛力及各層對(duì)整體性能的影響,避免傳統(tǒng)電學(xué)測(cè)量中接觸和傳輸層問題的干擾。

擺脫VOC與QFLS不匹配:擬態(tài)J-V曲線在HTL結(jié)構(gòu)的應(yīng)用

現(xiàn)代QFLS-Maper設(shè)備在HTL結(jié)構(gòu)開發(fā)中提供三項(xiàng)核心功能:

1.QFLS分布映射:數(shù)秒內(nèi)呈現(xiàn)材料QFLS空間分布圖像,直觀顯示樣品均勻性和缺陷密度。比較不同HTL結(jié)構(gòu)(如傳統(tǒng)BCP與改質(zhì)BCPS)的QFLS映射圖,可發(fā)現(xiàn)改質(zhì)HTL顯著提升QFLS中心值(提升超過10 mV),并使QFLS分布的半高寬(FWHM)明顯變窄,直接反映界面復(fù)合抑制和材料均勻性改善。此可視化能力使研究人員快速識(shí)別界面缺陷分布,定量評(píng)估不同改質(zhì)方法的效果。

2.擬態(tài)電流-電壓曲線:通過光強(qiáng)度依賴PLQY測(cè)量,兩分鐘內(nèi)構(gòu)建不受電極或傳輸層影響的pseudo-JV曲線,預(yù)測(cè)材料理論效率上限和潛在填充因子(pFF)。HTL結(jié)構(gòu)改質(zhì)后,若pseudo-JV曲線曲率趨于理想,預(yù)示器件FF將顯著提升。即使未完成完整器件制備,僅通過QFLS映像和pseudo-JV曲線,即可對(duì)HTL改質(zhì)方案的VOCFF潛力作出快速準(zhǔn)確判斷,有效篩選具潛力的材料組合和工藝條件。

3.分層檢測(cè)能力:支持制備過程中不同階段(裸吸收層、吸收層/HTL堆棧、吸收層/電子傳輸層堆棧等)的QFLSpseudo-JV測(cè)量。精準(zhǔn)定位電荷復(fù)合損失的具體位置,理解每層材料對(duì)器件性能極限的影響,為界面工程和材料優(yōu)化提供直接實(shí)驗(yàn)依據(jù)。

擺脫VOC與QFLS不匹配:擬態(tài)J-V曲線在HTL結(jié)構(gòu)的應(yīng)用


技術(shù)展望

QFLS分裂映像與pseudo-JV曲線等表征技術(shù)正重塑光電薄膜材料的研發(fā)模式。這些技術(shù)深入揭示材料內(nèi)在光電物理機(jī)制,特別在HTL結(jié)構(gòu)改質(zhì)領(lǐng)域,提供定量分析和預(yù)測(cè)能力。隨著先進(jìn)表征工具的普及,太陽(yáng)能電池研發(fā)效率將顯著提升,加速高性能、高穩(wěn)定性光伏器件的商業(yè)化進(jìn)程。



參考文獻(xiàn)




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